플래시 메모리(Flash Memory)

컴퓨터시스템응용기술사 제126회 3교시 23번 문항으로, 과목은 컴퓨터구조입니다.

원문 문제

컴퓨터시스템응용기술사 제126회 23번. 플래시 메모리(Flash Memory)

가. 플래시 메모리의 개요와 구조
나. 스케일다운 한계와 대응방법
다. 3D-Vertical NAND Flash Memory

핵심 키워드

플래시 메모리 구조
MLC/TLC/QLC
스케일다운 한계
3D-Vertical NAND
셀 노드 간 간섭
다층화 기술

고득점 가이드 — 1. 개요

플래시 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로, 부유 게이트나 전하 트랩 층에 전자를 저장해 0/1 을 표현한다. 셀 연결 방식에 따라 NAND·NOR 로 나뉘고, 셀당 저장 비트 수에 따라 SLC·MLC·TLC·QLC 로 분류된다. 스토리지 집적도 요구가 커지면서 평면 미세화 한계를 3D 적층과 새로운 전하 저장 구조로 우회하는 방향으로 진화해왔다.

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출제 이력

플래시 메모리 구조기출 1문항
MLC/TLC/QLC기출 1문항
스케일다운 한계기출 1문항
3D-Vertical NAND기출 1문항
셀 노드 간 간섭기출 1문항
다층화 기술기출 1문항

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