MRAM(Magnetoresistive RAM : 강자성 메모리)
컴퓨터시스템응용기술사 제110회 1교시 4번 문항으로, 과목은 컴퓨터구조입니다. ‘비휘발성’ 키워드는 컴퓨터시스템응용기술사 기출 5문항에 나왔습니다.
원문 문제
컴퓨터시스템응용기술사 제110회 4번. MRAM(Magnetoresistive RAM : 강자성 메모리)
핵심 키워드
- MRAM
- 자기저항 효과
- 비휘발성
- 스핀 전자
- 메모리 셀
- 쓰기 속도
고득점 가이드 — 1. 개요
MRAM 은 자기터널접합(MTJ) 소자의 자화 방향에 따른 저항 차이를 이용해 데이터를 저장하는 비휘발성 반도체 메모리로, 스핀 전자의 터널링 현상을 활용해 전원 차단 후에도 정보를 유지하는 차세대 메모리 기술이다.
출제 이력
- MRAM기출 1문항
- 자기저항 효과기출 1문항
- 비휘발성기출 5문항
- 스핀 전자기출 1문항
- 메모리 셀기출 2문항
- 쓰기 속도기출 1문항
- 제138회 11번FRAM(Ferroelectric RAM)구조1교시겹치는 키워드: 비휘발성무료
- 제138회 23번ROM(Read Only Memory)의 주요 기능 및 종류구조3교시겹치는 키워드: 비휘발성무료
- 제123회 15번SLC(Single Level Cell) NAND, MLC(Multi Level Cell) NAND 및 TLC(Triple Level Cell) NAND Flash 메모리구조2교시겹치는 키워드: 메모리 셀
- 제119회 11번FeRAM/STT-MRAM/PRAM구조1교시겹치는 키워드: 비휘발성무료
- 제113회 8번FeRAM(Ferroelectric RAM : 강유전체 메모리)구조1교시겹치는 키워드: 비휘발성무료
같은 과목 문항
- 제110회 1번SDRAM(Synchronous DRAM)1교시무료
- 제110회 18번UV EPROM(UltraViolet Erasable Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 및 Flash 메모리의 쓰기(소거 및 프로그램) 관점 비교2교시
- 제110회 25번페이지 방식을 이용하는 가상 메모리에서 가상주소(Virtual address)를 물리주소(Physical address)로 변환하는 과정 - 페이지 테이블(Page Table) 및 TLB(Translation Lookaside Buffer) 이용3교시
- 제111회 2번FPGA(Field Programmable Gate Array)1교시무료
- 제111회 19번클럭의 상승에지(rising edge)에서 천이하는 Mealy 상태 머신을 VHDL(VHSIC Hardware Description Language)로 구현2교시
- 제111회 23번Pipeline Hazard의 유형과 제거방안3교시